上述方法，其原理基本相同，即当防辐射铅门沿轴向传输的TEM波经过屏蔽材料时，有三种现象产生:

①由于波阻抗的不匹配(TEM波遇到试样样片时)而产生反射。

②由于防辐射铅门材料的损耗而产生吸收衰减。

③由于两个不连续界面而引人多次反射。

这三个过程同时存在。因此，被测样片在同轴装置内衰减电磁波的能力是通过材料在同轴装置中所引人的插入损耗来反映的。又因为防辐射铅门材料在同轴装置中衰减电磁波的能力与该材料在自由空间衰减电磁波的能力是相同的，所以，同轴装置可以真实地模拟自由空间的远场。也就是说，无论是同轴传输线法，还是法兰同轴法测试屏蔽材料，所适用的频率范围为30MHz---1. 5GHz。因而，上述装置及测量方法仅对材料屏蔽平面波的能力进行评价，而材料对磁场的屏蔽效能，则需用近场测量方法来评价。